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南韓三星、海力士調高今年資本支出，幅度約兩成，年度新資本支出總和23兆韓元（約新台幣5,952億元）起跳，創歷史新高。三星有望再次超越英特爾，成為全球半導體業資本支出最大的業者，要靠記憶體賺錢，強化晶圓代工實力，成為台積電強勁對手。

業界解讀，三星與海力士砸大筆鈔票投資，不僅要把全球DRAM市場「整碗捧走」，也有防堵東芝一旦順利取得爾必達競標，日本廠商在記憶體業再度坐大的意味，搶在東芝結合爾必達之前先發制人。

分析師預期，三星、海力士大舉加碼資本支出，將擴大與台灣、美國、日本等記憶體業者差距。三星、海力士今年上半年在DRAM業的市占總和，有望首度衝上七成。

韓國時報報導，三星加碼今年半導體投資，由原訂15兆韓元（約新台幣3,880億元）增加二成至18兆韓元（約新台幣4,666億元）。新增投資額主要用來改造美國德州奧斯汀廠成為系統晶片專屬工廠，並發展NAND與DRAM產品。

據報導，三星記憶體業務總裁全東守（Jun Dong-soo）坦言，若爾必達被東芝或其他競爭對手收購，三星勢必面臨挑戰，因此決定先發制人。

海力士規劃今年資本支出由原訂4.2兆韓元（約新台幣1,086億元）調高20%至5兆韓元（約新台幣1,293億元）。三星、海力士是全球前兩大DRAM廠，兩家公司去年第四季市占率各為44.3%、23.3%，爾必達排名第三、市占率12%。儲存型快閃記憶體（NAND Flash）方面，三星、海力士市占率各為34.6%、13.7%，分居龍頭與第三；東芝市占率29.7%，排名第二。

業界指出，三星今年首季營業利益大增96.6%，最大貢獻來自記憶體部門，尤其DRAM結合NAND晶片出貨的利潤豐厚。若東芝拿下爾必達，就取得兼具DRAM與NAND晶片優勢，南韓業者不敢掉以輕心。

三星、海力士勢力持續擴張，更具銀彈與技術優勢，為未來新投資做準備。三星更能藉由在記憶體業的獲利，投入晶圓代工研發，成為台積電強勁對手。


三星、海力士、台積電、英特爾等業者今年都有意調升資本支出，國際半導體大廠「產能軍備賽」再度展開，比起去年下半年的陰霾，半導體大廠投資意願提高不少，但也為未來埋下供過於求的隱憂。

英特爾今年資本支出由去年105億美元（約新台幣3,097.5億元）擴增至125億美元（約新台幣3,687.5億元）。三星加碼後的資本支出約新台幣3,880億元，已超越英特爾，要在DRAM與NAND晶片大舉擴張，並伺機在晶圓代工領域卡位。

業界擔心，這波大廠大手筆資本支出競逐賽，將為未來市場的供過於求埋下隱憂，尤其三星出手毫不手軟，過去DRAM業大舉投資，造成產業景氣連年低迷，若NAND Flash或晶圓代工步上同樣後塵，後果堪憂。

南科、力晶、華亞科等台灣DRAM廠就飽受過去不計代價砸錢擴產的苦果，面對三星等大廠今年砸大錢，台灣DRAM廠相對保守。南科暫訂今年資本支出約34億元，華亞科預計花40億元提升30奈米製程，力晶更僅訂今年資本支出僅約10多億元，與以往動輒數百億元不可同日而語。

 

動態隨機存取記憶體(DRAM)廠茂德科技申請債權協商案，金額新台幣570億元，獲銀行團同意借款本金展延 6個月，並且變更利率條件。

茂德指出，去年底申請的債權協商案於12月30日獲經濟部工業局通過，隨後今年2月4日由合作金庫商業銀行協助辦理債權銀行債權債務協商會議。

茂德目前已接獲合作金庫通知，債權協商案獲2/3債權銀行書面同意。

茂德表示，各項借款本金獲展延 6個月，並且變更利率條件，將處理相關後續事宜。



 

【2012/04/13 經濟日報】



 
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